中鎵半導(dǎo)體的嘗試
編輯：JACK [ 2009-12-30 9:53:39 ] 文章來源：南方日報
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中鎵半導(dǎo)體的嘗試
東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司決定放手一搏。這家由光大集團(tuán)旗下聚民信息科技和北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心聯(lián)合組建的公司，去年落子企石鎮(zhèn)，目標(biāo)鎖定LED核心領(lǐng)域襯底、外延片和相關(guān)精密加工設(shè)備。
傳統(tǒng)的工藝制備中，外延片在藍(lán)寶石、碳化硅或硅的基底上生長出來，然后再切割、打磨成LED芯片。但中鎵半導(dǎo)體另外選擇了在氮化鎵襯底上長出外延片的路徑，這條路一旦走通，可以生產(chǎn)出更優(yōu)質(zhì)的外延片。今年，中鎵收購一家韓國公司并吸收其技術(shù)，斥資4000多萬元從德國愛思強(qiáng)(Aixtron)進(jìn)口兩臺用于外延片制備的MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積)設(shè)備。
在11月3日出臺的《方案》中，中鎵氮化鎵(GaN)基襯底材料產(chǎn)業(yè)化項目被寄予技術(shù)攻關(guān)和完善產(chǎn)業(yè)鏈的厚望。
目前，該公司已建好襯底材料的生產(chǎn)線并即將投入生產(chǎn)。中鎵公司的主攻方向是LED最前沿的襯底材料。目前的LED外延片多是在藍(lán)寶石、碳化硅的基底上生長出來，但中鎵公司則獨創(chuàng)出在氮化鎵襯底上長出外延片的技術(shù)。
“氮化鎵襯底材料有三高———技術(shù)高、難度高、價格高，因此可以帶來更高的利潤率，并且前景看好。”中鎵公司的高級工程師孫永健說，在生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的同時，為了在價格和性能上取得平衡，中鎵公司還研制出復(fù)合襯底材料，“這是一個折中的辦法，價格要比氮化鎵襯底低，但是技術(shù)原理相似，性能也比目前市場上的襯底材料要好很多。”
主攻LED上游環(huán)節(jié)技術(shù)的公司在東莞乃至珠三角并不多見，而類似中鎵擁有襯底材料領(lǐng)先技術(shù)的公司在全國都寥寥無幾。“中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢，必定是由下游環(huán)節(jié)的生產(chǎn)向上游環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移，中鎵在這方面已經(jīng)走在了最前面。”孫永健說，這正是中鎵主攻襯底材料的原因。
“技術(shù)就是王道，有了技術(shù)自然就擁有市場。”中鎵公司的市場營銷部經(jīng)理王光普說，中鎵對于產(chǎn)品的市場前景并不擔(dān)憂，“氮化鎵襯底技術(shù)尚未應(yīng)用生產(chǎn)時，通過技術(shù)人員在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上的展示，已經(jīng)在業(yè)界樹立了口碑，一旦投入生產(chǎn)，尋找買家是很容易的事。”
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