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LED超高清顯示

在國家政策的大力推進(jìn)下，5G+4K/8K全面開啟了萬物互聯(lián)時代，給各行各業(yè)帶來了眾多機(jī)遇和挑戰(zhàn)。其中，Micro LED顯示技術(shù)也迎來了蓬勃的發(fā)展，但如何讓技術(shù)實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化，在市場上占有一席之地，關(guān)鍵還在于如何平衡產(chǎn)品性能與成本的關(guān)系。

Micro LED憑借低能耗、高亮度、高對比度及高可靠性的特性，滿足了各種像素密度和各種尺寸顯示的需求，如AR/VR、智能手表、大屏電視等。隨著LED芯片面積不斷減小，單位面積晶圓利用率大幅提高，也意味著LED芯片成本不斷下降。

經(jīng)對比，單片4寸晶圓可以生產(chǎn)約350K數(shù)量的0408（4mil*8mil）芯片，當(dāng)芯片面積尺寸縮小至0204（2mil*4mil）時，同樣的晶圓面積下大約可產(chǎn)出1400K數(shù)量的芯片，這使得單個芯片成本下降60%以上。

Micro LED憑借多項(xiàng)優(yōu)勢特點(diǎn)，正逐步展現(xiàn)其巨大應(yīng)用潛力，成為最佳新型高清顯示方案，勢必為整個產(chǎn)業(yè)鏈帶來騰飛的東風(fēng)。

作為LED封裝技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)跑者，國星光電不遺余力進(jìn)行產(chǎn)品創(chuàng)新，依托成熟而強(qiáng)大的生產(chǎn)制造工藝體系，推出新型MIP封裝器件方案。

關(guān)于MIP

MIP(Micro LED in Package)是一種基于Micro LED的新型封裝架構(gòu)，其脫胎于久經(jīng)歷練的王牌小間距顯示產(chǎn)品，可謂是Micro LED和分立器件的有機(jī)結(jié)合，也是國星光電將Micro LED產(chǎn)品快速切入新型顯示市場的一把利刃。基于扇出封裝技術(shù)思路，國星光電通過自主開發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移方法，采用黑化基板與高光提取封裝路線構(gòu)筑全新MIP器件，大幅提高器件光電性能，通過將引腳電極放大，使其匹配當(dāng)前機(jī)臺設(shè)備。因此，除了前述成本優(yōu)勢外，MIP還具有高亮度、低功耗、兼容性強(qiáng)、可混BIN提高顯示一致性等優(yōu)點(diǎn)。

MIP封裝架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)流程

MIP顯示模組性能與應(yīng)用優(yōu)勢特點(diǎn)

01 高黑占比

一致性高，黑占比超99％

02 特殊光學(xué)設(shè)計

水平視角極大（≥174°）

03 兼容性強(qiáng)

兼容當(dāng)前設(shè)備機(jī)臺，可完成測試分選、易檢測修復(fù)

04 應(yīng)用性強(qiáng)

更易將Micro LED應(yīng)用于終端市場

MIP顯示模組外觀圖

作為LED封裝龍頭，國星光電始終堅持創(chuàng)新驅(qū)動戰(zhàn)略，瞄準(zhǔn)行業(yè)趨勢，深耕技術(shù)產(chǎn)品，強(qiáng)化內(nèi)功修煉，遵循“量產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲備一代”的穩(wěn)健的技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展路線。如今，5G+4K/8K浪潮迭起，新型顯示極速發(fā)展。國星光電定將緊抓機(jī)遇，乘著“十四五”規(guī)劃和粵港澳大灣區(qū)騰飛發(fā)展，大力發(fā)展以Micro LED、Mini LED等為代表的新型顯示技術(shù)，為人們美好生活增添光彩。