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居高不下的制造成本令Micro LED遲遲無法商用化，原因在于關鍵的巨量轉移技術瓶頸仍待突破。LEDinside指出，預計2018年“類Micro LED”顯示與投影模塊產品將率先問世，待巨量轉移制程穩定后再朝向Micro LED規格產品邁進。
目前全球廠商積極布局轉移制程，但考慮每小時產出量（UPH）、良率及晶粒大�。ǎ�100?m）尚無法達到商品化的水平，廠家紛紛尋求晶粒大小約150?m的“類Micro LED”解決方案。

LEDinside研究副理楊富寶表示，Micro LED制程目前面臨相當多的技術挑戰，在四大關鍵技術中，轉移技術是最困難關鍵制程，必須突破的瓶頸包括設備的精密度、轉移良率、轉移時間、制程技術、檢測方式、可重工性及加工成本。由于涉及的產業橫跨LED、半導體、面板上下游供應鏈，舉凡芯片、機臺、材料、檢測設備等都與過去的規格相異，使得技術門坎提高，而異業間的溝通整合也拉長研發時程。

LEDinside以工業制程六個標準差評估Micro LED量產可行性，轉移制程良率須達到四個標準差等級，才有機會商品化，但加工及維修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化產品，并達成具有競爭力的加工成本，其轉移良率至少要達到五個標準差以上。

盡管巨量轉移仍待技術突破，LEDinside指出，目前全球已有多家廠商投入轉移技術的研發，如LuxVue、eLux、VueReal、X－Celeprint、法國研究機構CEA－Leti、Sony及沖電氣工業（OKI）；臺灣則有镎創、工研院、Mikro Mesa及臺積電。但廠商在選擇轉移技術時會依不同應用產品而定，并考慮設備投資、每小時產出量（UPH）及加工成本等因素，而各廠商的制程能力及良率控制，也是影響產品開發的關鍵。

以現有的發展狀況看來，LEDinside認為室內顯示屏、智能手表和智能手環將會是首先應用Micro LED的產品。由于轉移技術的難度甚高，各應用產品所需求的像素多寡不同，投入的廠商多半先以既有的外延焊接設備（Wafer Bonding）來做研發，或選擇像素數量較少的應用產品為目標，以縮短開發時間。也有廠商直接轉向研發薄膜轉移（Thin Film Transfer）技術，但因設備須另外設計及調整，必須投入更多資源與時間，可能產生更多制程問題。